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浅谈半导体测试的基本内容

2020-11-06 14:00:07

浅谈半导体测试的基本内容

       半导体芯片有各种类型,不同类型的芯片测试内容不同。以通讯类基带SoC芯片为例,半导体测试程序需要包括以下测试,具体测试原理可以参照。

Pad相关测试

       涵盖IO contact,Pad leakage,Pad pullup&pulldown,输入输出VIX/VOX/IOX测试以及输出阻抗测试。测试原理很简单,是基于欧姆定理进行电流电压的测量。但该类测试可以有效筛选出pad/bump/ball相关的故障,该类故障多发生在wafer切割,assembly/package等工序,以及qualification的一些stress测试。

       ESD/Latchup的测试程序需要实现完备的Pad测试,保证stress损坏的defect可以筛选出来。

Power电流相关测试

       涵盖SICC(static/leakage current),DICC(dynamic work current)以及休眠电流。测试可以评估DUT的功耗指标,根据用户对功耗的要求将产品分为不同类别。采用PAT(Part Average Testing)技术,可以使用adaptive test limit的方式将功耗异常的芯片筛选出来。

Performance相关测试

       一般core/cpu/dps需要测试工作频率,工作电压等性能相关的参数,这些测试结果用于产品分类以及系统软件运行时DVFS(Dynamic voltage and frequency scaling)的具体设置。

Scan测试

        数字logic的故障覆盖率主要是DFT的scan保证的,大部分产品的scan覆盖率在95%以上。Scan测试激励是基于故障模型(stuck-at fault,transition fault,bridge fault...等等)由EDA工具生成。相比较于传统功能激励测试,优势是可以用最少的测试时间获得故障覆盖率,同时一般不需要高速的测试机台,也避免了DUT和测试机之间的异步通讯要求,而且DUT测试失败可以反标回具体的设计电路,便于后期的分析。


半导体测量


       Scan测试主要取决于DFT/DFM的设计,需要在设计阶段就覆盖率,故障模型,vector大小,shift时的脉冲电流等等进行充分沟通。

Mbist测试

       Sram在SoC中占据很大的面积,和数字逻辑类似,Sram有很成熟的内建自测试方案mbist保证100%的故障覆盖率。Sram也有多种故障模型(stuck-at,transition fault,address fault,Coupling fault, Neighborhood sensitivity,Stability Fault,Retention Fault等),需要根据工艺的稳定度以及DMP要求,选择多种mbist的算法保证测试强度。

       mbist测试需要支持redundancy的修补,repair的测试流程需要不断优化,保证可以将多数weak cell用完好的redundancy cell替换掉。

       为了支持工艺优化,量产程序还需要能够将sram defect的信息输出到后台数据库中,经过大数据分析,一些工艺或设计的缺陷可以暴露加以改正。

高速数字接口测试

       SoC一般集成很多数字高速接口,常见的比如USB,MIPI,PCIE,SATA..等等。这些接口的data rate在2GHz以上,多数ATE测试机的普通PE Card是无法支持如此高的频率,而选取高速板卡意味着测试成本的大幅提高,而且不容易在OAST寻找到合适的测试机台。

       一般DFT可以在这些phy中实现TX/RX的loop back,使用类似bist的方式发送PRBS数据并采回,通过修改内部比较电压和采样时间自动测试眼图。

       DC参数的测试一般需要参照datasheet,在设计阶段需要和DFT沟通保证重要的DC参数可以测试;

Analog模块测试

       涵盖了PLL,LDO,bandgap, OSC.... 等等。测试需求来自这些IP的设计者,需要在设计阶段讨论定义,并寻求DFT的支持避免对ATE测试机的过高要求。

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